上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 main business:硅材料、太阳能电池、组件的批发、进出口，提供相关的技术服务，太阳能光伏技术及产品的研究开发、技术咨询与技术转让（涉及配额许可证管理、专项规定管理的商品按照国家有关规定办理）（涉及行政许可的凭许可证经营）。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(台港澳法人独资)
- 2007年06月22日
- 靳保芳
- 2000.000000
- 2007年06月22日 至 2022年06月21日
- 上海市工商局
- 2007年06月22日
- 上海市静安区江场三路36号701室
- 太阳能光伏技术及产品的研究开发、技术咨询与技术转让，金属材料、机电产品、五金工具、建筑材料（钢材、水泥除外）、化工产品（危险品除外）的批发、进出口，提供相关的技术服务。（不涉及国营贸易管理商品，涉及配额、许可证管理商品的，按照国家有关规定办理申请）。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 公司网页 | http://www.jasolar.com/ |
| 网站 | 网站 | www.jasolar.com |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101762779B | 一种电池片光致衰减测试系统及其测试方法 | 2012.01.25 | 本发明公开了一种电池片光致衰减测试系统，包括辐照监测装置、可进行真空度调控的真空调控装置及充气装置， |
| 2 | CN201611331U | 一种电池片光致衰减测试系统 | 2010.10.20 | 本实用新型公开了一种电池片光致衰减测试系统，包括辐照监测装置、可进行真空度调控的真空调控装置及用于向 |
| 3 | CN101447529B | 一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺 | 2010.09.08 | 本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺，通过最优化整个氧化工艺过程中温度，气 |
| 4 | CN101762779A | 一种电池片光致衰减测试系统及其测试方法 | 2010.06.30 | 本发明公开了一种电池片光致衰减测试系统，包括辐照监测装置、可进行真空度调控的真空调控装置及充气装置， |
| 5 | CN101447530B | 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺 | 2010.06.09 | 本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，包括以下步骤： |
| 6 | CN201374324Y | 一种用于硅片传送的传送衔接机构 | 2009.12.30 | 本实用新型公开了一种用于硅片传送的传送衔接机构，包括轮支架和衔接轮，所述轮支架固定安装在接片机上，所 |
| 7 | CN201374326Y | 一种石英舟 | 2009.12.30 | 本实用新型公开了一种石英舟，包括支撑框架和支杠组件，所述的支杠组件由安装在支撑框架上的一对上支杠和一 |
| 8 | CN201371050Y | 一种浆料搅拌机 | 2009.12.30 | 本实用新型公开了一种浆料搅拌机，包括机架、驱动机构和搅拌混合机构，所述的搅拌混合机构由架设在所述机架 |
| 9 | CN101447531A | 一种太阳能电池正面电极的制备方法 | 2009.06.03 | 本发明公开了一种太阳能电池正面电极的制备方法，即采用电镀的方法制作正面电极，包括两种方式，第一种方法 |
| 10 | CN101447530A | 一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺 | 2009.06.03 | 本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，包括以下步骤： |
| 11 | CN101447529A | 一种选择性发射极太阳电池制造过程中的氧化硅生成工艺 | 2009.06.03 | 本发明公开了一种选择性发射极太阳电池制作过程中的氧化硅生成工艺，通过最优化整个氧化工艺过程中温度，气 |
| 12 | CN101447532A | 一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法 | 2009.06.03 | 本发明公开了一种双面钝化晶体硅太阳电池的制备方法，该方法是在太阳电池的正面和背面制备叠层钝化层，利用 |
| 13 | CN101447528A | 一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法 | 2009.06.03 | 本发明公开了一种双面钝化与激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法，该方法是在常规晶体硅太阳电池制备 |
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